Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2008.11a
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- Pages.357-357
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- 2008
Electrical spin injection and detection in epitaxially grown Fe/GaAs (001) hybrid structure
에피성장된 Fe/GaAs (001) 적층구조에서의 스핀 주입 및 검출
- Lee, Tae-Hwan (Center for spintronics research KIST) ;
- Koo, Hyun-Cheol (Center for spintronics research KIST) ;
- Kim, Kyung-Ho (Center for spintronics research KIST) ;
- Kim, Hyung-Jun (Center for spintronics research KIST) ;
- Han, Suk-Hee (Center for spintronics research KIST) ;
- Lim, Sang-Ho (Materials science and engineering Korea university)
- 이태환 (한국과학기술연구원 스핀트로닉스연구단) ;
- 구현철 (한국과학기술연구원 스핀트로닉스연구단) ;
- 김경호 (한국과학기술연구원 스핀트로닉스연구단) ;
- 김형준 (한국과학기술연구원 스핀트로닉스연구단) ;
- 한석희 (한국과학기술연구원 스핀트로닉스연구단) ;
- 임상호 (고려대학교 신소재공학과)
- Published : 2008.11.06
Abstract
Spin injection experiment is conducted in epitaxially grown Fe/GaAs hybrid structure. For the formation of Schottky tunnel barrier between Fe and GaAs layers, highly n-doped GaAs layers are grown after n-doped channel layer. A non-local measurement, a voltage measurement probes do not contain a charge current path, is used for detecting only the chemical potential differences by the spin transport. As a result, the dips that are nicely matched with antiparallel region are obtained.
에피성장된 Fe/GaAs 적층구조에서의 스핀 주입 실험을 하였다. Fe와 GaAs 사이에 Schottky tunnel barrier를 형성시키기 위하여 높게 도핑된 GaAs 층을 channel 층 위에 성장하였다. 스핀전달에 의한 chemical potential 차이만을 검출하기 위해서 전압 측정 단자 사이에 전류 흐름이 포함되지 않는 non-local 측정방법을 사용하였다. 그 결과 두 강자성 전극이 반평행한 구간에서 dip이 나타나는 것을 확인할 수 있었다.
Keywords