Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Effects of substrate temperatures on the properties of PLZT thin films deposited by RF magnetron sputtering

기판온도에 따른 PLZT박막의 결정성과 전기적 특성

  • Lee, In-Seok (School of Materials Science and Engineering, Pusan National University) ;
  • Yoon, Ji-Eun (School of Materials Science and Engineering, Pusan National University) ;
  • Kim, Sang-Jih (School of Materials Science and Engineering, Pusan National University) ;
  • Son, Young-Guk (School of Materials Science and Engineering, Pusan National University)
  • 이인석 (부산대학교 공과대학 재료공학과) ;
  • 윤지언 (부산대학교 공과대학 재료공학과) ;
  • 김상지 (부산대학교 공과대학 재료공학과) ;
  • 손영국 (부산대학교 공과대학 재료공학과)
  • Published : 2008.11.06
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Abstract

PLZT 박막을 Pt/Ti/$SiO_2$/Si 기판 위에 RF-마그네트론 스퍼터링방법으로 형성할 때 기판온도에 따른 PLZT 박막의 결정성과 전기적 특성 및 강유전 특성에 미치는 영향에 관하여 연구하였다. 하부전극 Pt와 PLZT 박막 사이에는 완충층으로 $TiO_2$를 사용하여 계면에서의 상호확산을 제어하면서 우수한 물성의 PLZT 박막을 얻고자 하였으며, 여러 기판온도에서 PLZT 박막을 증착한 후, 박막의 결정화를 위해 급속열처리법으로 $700^{\circ}C$로 후열처리하였다. 그 결과 기판온도 $400^{\circ}C$에서 증착한 PLZT 박막이 가장 우수한 특성을 나타내었으며, 이때의 잔류분극과 누설전류밀도는 각각 15.8 ${\mu}C/cm^2$, $5.4\times10^{-9}A/cm^2$ 이였다. 그러나 $500^{\circ}C$에서는 결정립 조대화현상이 나타나면서 잔류분극과 누설전류밀도는 9 ${\mu}C/cm^2$, $3.09\times10^{-7}A/cm^2$로 특성이 저하되었다.

Keywords