한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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- Pages.154-155
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- 2008
NMOSFET의 트렌치게이트 산화막 균일도에 따른 전류-전압 특성연구
A study of NMOSFET trench gate oxide uniformity according to voltage-current characteristic
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김상기
(한국전자통신연구원) ;
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박건식
(한국전자통신연구원) ;
- 김용구 (한국전자통신연구원) ;
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구진근
(한국전자통신연구원) ;
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박훈수
(위덕대학교) ;
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우종창
(한국전자통신연구원) ;
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유성욱
(한국전자통신연구원) ;
- 김보우 (한국전자통신연구원) ;
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강진영
(한국전자통신연구원)
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Kim, Sang-Gi
(ETRI) ;
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Park, Kun-Sik
(ETRI) ;
- Kim, Young-Goo (ETRI) ;
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Koo, Jin-Gun
(ETRI) ;
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Park, Hoon-Soo
(Uiduk Univ.) ;
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Woo, Jong-Chang
(ETRI) ;
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Yoo, Sung-Wook
(ETRI) ;
- Kim, Bo-Woo (ETRI) ;
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Kang, Jin-Young
(ETRI)
- 발행 : 2008.11.06
초록
대전류용 전력소자를 제조하기 위해 고밀도 트렌치를 형성하여 이들을 병렬로 연결시켜 트렌치 게이트 NMOSFET를 제작하였다. 고밀도 트렌치 소자를 제작한 후 케이트 산화막 두께에 따른 전류-전압 특성을 분석하였다. 트렌치 측벽의 게이트 산화막 두께는 트렌치 측벽의 결정방황에 따라 산화막 두께가 다르게 성장된다. 특히 게이트 산화막 두께의 균일도가 나쁘거나 두꺼울수록 케이트 전류-전압 특성은 다르게 나타난다. 트렌치 형상에 따라 측벽의 산화막 두께가 불균일하거나 혹은 코너 부분의 산화막이 두께가 앓게 증착됨을 알 수 있었다. 이는 트렌치 측벽의 결정방향에 따라 산화막 성장 두께가 다르기 때문이다. 이러한 산화막 두께의 균일도를 향상시키기 위해 트렌치 코너 형상을 개선하여 트렌치 측벽의 게이트 산화막의 두께 균일도를 높였으며, 그 결과 소자의 전기적 특성이 개선되었다.