Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)

The Korea Institute of Information and Commucation Engineering (한국정보통신학회)
권호 표지

3차원 포아송방정식을 이용한 FinFET의 해석학적 포텐셜모델

  • Han, Ji-Hyung (School of Electronic and Information Eng., Kunsan National University) ;
  • Jung, Hak-Kee (School of Electronic and Information Eng., Kunsan National University) ;
  • Jung, Dong-Soo (School of Electronic and Information Eng., Kunsan National University) ;
  • Lee, Jong-In (School of Electronic and Information Eng., Kunsan National University) ;
  • Kwon, Oh-Shin (School of Electronic and Information Eng., Kunsan National University)
  • 한지형 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 정학기 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 정동수 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 이종인 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 권오신 (군산대학교 전자정보공학부)
  • Published : 2008.10.31
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Abstract

Three dimensional(3D) Poisson's equation is used to calculate the potential variation in the channel to analyze subthreshold current and short channel effect(SCE). The analytical model has been presented to lessen calculating time and understand the relationship of parameters. The accuracy of this model has been verified by the data from 3D numerical device simulator and variation for dimension and process parameters has been explained. The model has been developed to obtain channel potential of FinFET according to channel doping and to calculate subthreshold current and threshold voltage.

본 연구에서는 문턱전압이하 전류 및 단채널효과를 해석하기 위하여 필수적인 포텐셜분포를 구하기 위하여 3차원 포아송방정식을 이용하고자 한다. 특히 계산시간을 단축시키고 파라미터의 관련성을 이해하기 쉽도록 해석학적 모델을 제시하고자 한다. 이 모델의 정확성을 증명하기 위하여 3차원 수치해석학적 모델과 비교되었으며 소자의 크기파라미터 및 공정파라미터에 따른 변화에 대하여 설명하였다. 특히 채널 도핑여부에 따라 FinFET의 채널 포텐셜을 구하여 향후 문턱전압이하 전류 해석 및 문턱전압 계산에 이용할 수 있도록 모델을 개발하였다.

Keywords