한국표면공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference)

한국표면공학회 (The Korean Institute of Surface Engineering)
권호 표지

반응기판의 회전 속도에 따른 CVD 반응기 내의 유동 특성과 증착률에 관한 수치적 연구

A Numerical Study on the Flow Characteristics in the CVD Reactor with Rotating Disk

  • 백재상 (성균관대학교, 기계공학부) ;
  • 부진효 (성균관대 플라즈마응용표면기술연구센터) ;
  • 한전건 (성균관대 플라즈마응용표면기술연구센터) ;
  • 김윤제 (성균관대학교, 기계공학부, 성균관대 플라즈마응용표면기술연구센터)
  • 발행 : 2007.04.05
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초록

화학 기상 증착법 (Chemical Vapor Deposition)은 기체 원료의 화학반응을 이용하여 박막, 미립자, nano-tube등 고체 재료를 합성하는 증착 방법이며, 현재 공업적으로 확산되어 반도체 공정과 같은 박막제조에 이용되고 있다. 박막제조에 있어서 중요한 관심사인 기판의 증착률은 기판의 회전 속도에 의하여 영향 받을 수 있다. 따라서 본 연구에서는 최적의 회전 속도를 찾아내기 위해 박막특성에 직접적으로 연관이 있는 CVD 반응기 내의 유동특성을 유한체적법 (Finite volume method)과 SIMPLE (Semi-Implicit Method for Pressure-Linked Equation) 알고리즘을 사용하여 수치모사 하였고 기판에서 화학 반응을 계산하기 위해 Arrhenius 모델을 사용하였다.

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