마그네트론 2원 동시 방전법을 이용하여 증착한 ISZO 및 IZSO 박막의 특성에 관한 연구

Characteristics of ISZO and IZSO films deposited using magnetron co-sputtering system by two cathodes

  • 이동엽 (부산대학교, 재료공학과) ;
  • 이정락 (부산대학교, 재료공학과) ;
  • 이건환 (한국기계연구원, 표면기술 연구 센터) ;
  • 송풍근 (부산대학교, 재료공학과)
  • 발행 : 2007.11.12

초록

In-Sn-Zn-O (ISZO)박막과 In-Zn-Sn-O (IZSO)박막은 상온에서 2개의 캐소드 (DC, RF)를 이용하여 마그네트론 2원 동시 방전법에 의해 polyethylene terephthalate (PET)기판 위에 실온에서 증착되었다. ISZO 박막의 경우, Zn함량이 증가함에 따라 비저항은 증가하였지만, Zn원자의 도입에 의해 표면 조도는 개선되었다. 반면, IZSO 박막의 경우, 최저비저항 ($3.17$ ${\times}$ $10^{-4}$ ${\Omega}cm$)은 $SnO_2$ 타켓의 RF power 40W에서 얻어졌지만, Sn원자의 도입에 의해 표면 조도는 거칠어졌다. XRD 측정 결과 모든 박막은 비정질 구조로 사료되고, 가시광선 영역에서 80% 이상의 높은 투과율을 보였다.

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