GaAs기판상에 나노 구조를 이용하여 격자상수차이를 극복하여 성장된 1um 두께의 고품질 InSb (47,000c$m^2$/Vs)

  • 송진동 (한국과학기술연구원 나노과학연구본부) ;
  • 임주영 (한국과학기술연구원 나노과학연구본부) ;
  • 최원준 (한국과학기술연구원 나노과학연구본부) ;
  • 장준연 (한국과학기술연구원 나노과학연구본부) ;
  • 한석희 (한국과학기술연구원 나노과학연구본부)
  • Published : 2007.08.15