The effect of C incorporation pathway in SiGeC intermediate layer assisted SiGe layer relaxation

  • 김현우 (서울대학교 재료공학부 반도체 에피 성장 연구실) ;
  • 신건욱 (서울대학교 재료공학부 반도체 에피 성장 연구실) ;
  • 윤의준 (서울대학교 재료공학부 반도체 에피 성장 연구실)
  • Published : 2007.08.15