Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2007.06a
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- Pages.258-258
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- 2007
Study of parameters of MEMS inductor on the LTCC substrate
LTCC 기판위에 MEMS 인덕터 특성 연구
- Park, Je-Yung (Inha Univ. electronic engineering) ;
- Cha, Doo-Yeol (Inha Univ. electronic engineering) ;
- Kim, Sung-Tae (Inha Univ. electronic engineering) ;
- Kang, Min-Suk (Inha Univ. electronic engineering) ;
- Yeo, Dong-Hun (Korean institute of ceramic ENG.&TECH.) ;
- Kim, Jong-Hei (Korean institute of ceramic ENG.&TECH.) ;
- Chang, Sung-Pil (Inha Univ. electronic engineering)
- 박제영 (인하대학교 전자공학과) ;
- 차두열 (인하대학교 전자공학과) ;
- 김성태 (인하대학교 전자공학과) ;
- 강민석 (인하대학교 전자공학과) ;
- 여동훈 (요업기술원 시스템 모듈 사업단) ;
- 김종희 (요업기술원 시스템 모듈 사업단) ;
- 장성필 (인하대학교 전자공학과)
- Published : 2007.06.21
Abstract
일반적인 CMOS공정으로는 높은 주파수 대역에서 높은 Q factor를 갖는 인덕터를 구현하는데 어렵고 이에 반해 RF ICs는 갈수록 high Q를 가지는 인덕터가 요구되고 있다. 이를 LTCC 기판 위에 인덕터를 구현했을 때 놓은 주파수 대역에서 성능을 알아보기 위해 모의 실험하였고, 실제로 구현을 하여 측정결과를 비교해 보았다. LTCC 기판위에 인덕터를 구현 하였을 때 실리콘, 유리 기판위에 인덕터를 구현하였을 때보다 더 높은 Q 값을 측정할 수 있었다. 5GHz 대역에서 실리콘, 유리, LTCC 기판에서 각각 12, 33, 51에 값을 확인할 수 있었다.