Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Investigation of Structural and Electrical properties of Self-seed layered PLZT(9/65/35) thin films deposited by sol-gel method

Sol-gel법으로 증착한 PLZT(9/65/35) 박막의 Self-seed layer에 따른 구조 및 특성

  • Lee, Chul-Su (School of materials Science and Engineering, Pusan national Univ) ;
  • Yoon, Ji-Eon (School of materials Science and Engineering, Pusan national Univ) ;
  • Cha, Won-Hyo (School of materials Science and Engineering, Pusan national Univ) ;
  • Son, Young-Guk (School of materials Science and Engineering, Pusan national Univ)
  • Published : 2007.06.21
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Abstract

Self-seed 층을 이용한 PLZT(9/65/35), 강유전체 박막을 Sol-Gel 법을 이용해 Pt/Ti/$SiO_2$/Si 기판 위에 증착한 후, Self-seed 층에 의한 PLZT(9/65/35) 박막의 구조적, 전기적 특성을 고찰하였다. Seed 층을 도입하지 않은 PLZT 박막의 경우 다결정 상으로 형성되는 것을 알 수 있었으며, seed 층을 도입한 PLZT 박막은 (110) 방향으로 우선 배향됨을 알 수 있었다. 증착된 PLZT(9/65/35) 박막의 유전율 및 유전손살은 10kHz에서 유전율 205, 유전손살 0.029 이었으며, Self-seed layer를 도입한 PLZT 박막의 경우 seed layer를 도입하지 않은 PLZT 박막보다 낮은 온도에서 결정화 되는 것을 관찰 할 수 있었다. Self-seed layer가 도입된 PLZT(9/65/35) 박막의 경우 잔류분극 ($P_r$) 값은 $9.1{\mu}C/cm^2$, 항전계($E_c$)는 47 kV/cm을 나타내었다.

Keywords