Electrical properties of $SiO_2$ thin film by OTS treatment

OTS 처리된 $SiO_2$ 박막의 전기적인 특성

  • Published : 2007.06.21

Abstract

기존 사용되어온 절연막인 $SiO_2$ 의 절연특성이 신호의 간섭 등의 문제가 있어서 절연특성을 좋게 하기 위해 낮은 유전상수와 비결정질의 절연막을 요구하고 있다. 본 연구에서는 혼합된 OTS solution으로 처리된 $SiO_2$ 절연막이 OTS 함유량 증가에 따른 전기적인 특성을 조사하였다. 전압-전류 특성 곡선에 의한 누설전류 증가랑이 OTS 함유량 증가에 따라 비례적으로 증가하지 않았으며 0.7% 처리 농도에서 누설전류가 가장 적게 나타났다.

Keywords