Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Study on improvement of cell current instability

Oxy-nitride막질 증착조건에 따른 Cell Current Instability 개선 연구

  • Jeong, Young-Jin (Samsung Electronics Co., Ltd System LSI Business) ;
  • Kim, Jin-Woo (Samsung Electronics Co., Ltd System LSI Business) ;
  • Park, Young-Hea (Samsung Electronics Co., Ltd System LSI Business) ;
  • Kim, Dae-Gn (Samsung Electronics Co., Ltd System LSI Business) ;
  • Jeong, Tae-Jin (Samsung Electronics Co., Ltd System LSI Business) ;
  • Roh, Yong-Han (School of Information and Communication Engineering, SungKyunKwan University)
  • 정영진 (삼성전자 System LSI사업부) ;
  • 김진우 (삼성전자 System LSI사업부) ;
  • 박영혜 (삼성전자 System LSI사업부) ;
  • 김대근 (삼성전자 System LSI사업부) ;
  • 정태진 (삼성전자 System LSI사업부) ;
  • 노용한 (성균관 대학교 정보통신 공학부 마이크로소자 Lab)
  • Published : 2007.06.21
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Abstract

반도체 공정에서 사용되는 ILD막질 중 oxy-nitrde(SiON) film은 contact etch stopper, photo공정을 위한 ARL(anti-reflection lay떠 그리고, 후속공정의 plasma damage에 대한 blocking layer로서의 역할을 담당하며 많은 공정에 널리 사용되고 있다. 그러나 막질 자체의 불완전성 (trap site, dangling bond)에 의해 cell current instability(CCI) 특성을 악화 시킬 수 있어 이에 대한 원인규명 및 대책이 요구되었다. 본 연구는 미국 S사(社) super flash memory에서 oxy-nitride 막질 증착 시의 gas flow량에 따른 CCI 특성변화를 연구하고 최적의 공정조건을 제시하고자 한다.

Keywords