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연구 과제 주관 기관 : 한국 과학재단, 학술진흥제단
한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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- Pages.81-81
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- 2007
CMP공정의 전압 활성화로 인한 전기화학적 반응 특성 연구
Voltage-Activated Electrochemical Reaction of Chemical Mechanical Polishing (CMP) Application
- 한상준 (조선대학교 전기공학과) ;
- 박성우 (조선대학교 에너지 자원 신기술 연구소) ;
- 이성일 (대불대학교 전기전자공학과) ;
-
이영균
(조선대학교 전기공학과)
;
-
최권우
(조선대학교 에너지 자원 신기술 연구소)
;
- 이우선 (조선대학교 전기공학과) ;
- 서용진 (대불대학교 전기전자공학과)
- Han, Sang-Jun (Chosun Univ.) ;
- Park, Sung-Woo (Research Institute of Energy Resources Technology, Chosun Univ.) ;
- Lee, Sung-Il (Deabul Univ.) ;
-
Lee, Young-Kyun
(Chosun Univ.)
;
-
Choi, Gwon-Woo
(Research Institute of Energy Resources Technology, Chosun Univ.)
;
- Lee, Woo-Sun (Chosun Univ.) ;
- Seo, Yong-Jin (Deabul Univ.)
- 발행 : 2007.06.21
초록
Chemical mechanical polishing (CMP) 공정은 deep 서브마이크론 집적회로의 다층배선구조률 실현하기 위해 inter-metal dielectric (IMD), inter-layer dielectric layers (ILD), pre-metal dielectric (PMD) 층과 같은 절연막 외에도 W, Al, Cu와 같은 금속층을 평탄화 하는데 효과적으로 사용되고 있으며, 다양한 소자 제작 및 새로운 물질 등에도 광범위하게 응용되고 있다. 하지만 Cu damascene 구조 제작으로 인한 CMP 응용 과정에서, 기계적으로 깨지기 쉬운 65 nm의 소자 이하의 구조에서 새로운 저유전상수인 low-k 물질의 도입으로 인해 낮은 하력의 기계적 연마가 필요하게 되었다. 본 논문에서는 전기화학적 기계적 연마 적용을 위해, I-V 특성 곡선을 이용하여 active, passive, transient, trans-passive 영역의 전기화학적 특성을 알아보았으며, Cu 막의 표면 형상을 알아보기 위해 scanning electron microscopy (SEM) 측정과 energy dispersive spectroscopy (EDS) 분석을 통해 금속 화학적 조성을 조사하였다.
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