Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)

The Korea Institute of Information and Commucation Engineering (한국정보통신학회)
권호 표지

The Trench Design Using Sentaurus Tool

Sentaurus를 이용한 트렌치 제작 공정

  • Lee, Sang-Ho (School of Electronic and Information Eng., Kunsan National University) ;
  • Jung, Hak-Kee (School of Electronic and Information Eng., Kunsan National University) ;
  • Lee, Jae-Hyung (School of Electronic and Information Eng., Kunsan National University) ;
  • Jeong, Dong-Soo (School of Electronic and Information Eng., Kunsan National University) ;
  • Lee, Jong-In (School of Electronic and Information Eng., Kunsan National University)
  • 이상호 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 정학기 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 이재형 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 정동수 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 이종인 (군산대학교 전자정보공학부)
  • Published : 2007.06.01
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Abstract

본 연구에서는 Shallow trench isolation(STI)를 형성하기 위한 과정을 제시할 것이다. 소자간 분리를 위한 전통적인 방법으로 LOCOS(Local Oxidation of Silicon) 방식이 사용되어왔으나, 소자가 미세해짐에 따라 LOCOS 방식에서 나타나는 단차와 Birds Beak이라는 횡 방향의 산화에 의한 활성 영역의 손실을 무시할 수 없게 되어 새로운 소자 분리 방법이 필요하게 되었으며 이러한 요구에 의해 도입된 Isolation 기술이 Shallow Trench Isolation(STI) 기술이다. 다양한 etching options은 중요한 부분이다. 이 경우에 trench etching의 방향은 점점 좁아지는 측면을 경사지게 하면서 협곡을 만드는 효과적인 방법을 사용할 것이다. 본 연구에서는 좁은 협곡(Shallow trench)의 절반만 시뮬레이션 될 것이다. 만약 모든 협곡의 시뮬레이션을 필요로 한다면 다변의 etching은 사용될 수 있다. STI 공정의 핵심은 trench etch를 좁게하면서 반도체 소자를 어떻게 하면 잘 분리할 수 있는가에 있다.

Keywords