한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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- Pages.315-315
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- 2007
RF-PECVD법에 의해 합성된 DLC 박막에 대한 plasma etching의 영향에 대한 연구
Effect of plasma etching on DLC films prepared by RF-PECVD method
- 오창현 (성균관대학교 정보통신공학부) ;
- 윤덕용 (성균관대학교 정보통신공학부) ;
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박용섭
(성균관대학교 정보통신공학부) ;
- 조형준 (성균관대학교 정보통신공학부) ;
- 최원석 (한밭대학교) ;
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홍병유
(성균관대학교 정보통신공학부)
- Oh, Chang-Hyun (School of Information and Communication Engineering, SungKyunKwan University) ;
- Yun, Deok-Yong (School of Information and Communication Engineering, SungKyunKwan University) ;
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Park, Yong-Seob
(School of Information and Communication Engineering, SungKyunKwan University) ;
- Cho, Hyung-Jun (School of Information and Communication Engineering, SungKyunKwan University) ;
- Choi, Won-Seok (Department of Electrical Engineering, Hanbat National University) ;
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Hong, Byung-You
(School of Information and Communication Engineering, SungKyunKwan University)
- 발행 : 2007.11.01
초록
본 논문에서는 DLC (Diamond-like carbon)박막이 가지는 높은 경도, 낮은 마찰계수, 전기적 절연성, 화학적 안정성 등의 특성을 이용하여, 리소그래피를 위한 resist나 hard coating물질로써 응용하기 위해, DLC 박막의 에칭에 관한 연구를 진행하였다. DLC 박막의 합성 과 에칭은 13.56 MHz RF plasma enhanced vapor deposition technique를 통해 이루어졌으며, DLC 박막은 150 W의 RF Power에서 메탄