Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2007.11a
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- Pages.173-174
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- 2007
Nitrogen concentration effect and Thin film thickness effect of tungsten - Boron - carbon - nitride thin film for diffusion barrier
W-B-C-N 확산방지막의 질소 불순물의 영향과 박막의 두께에 따른 열확산 특성 연구
- Kim, Soo-In (Nano & Electronic Physics Department, Kookmin University) ;
- Choi, Min-Keon (Nano & Electronic Physics Department, Kookmin University) ;
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Lee, Chang-Woo
(Nano & Electronic Physics Department, Kookmin University)
- Published : 2007.11.01
Abstract
반도체 소자가 발달함에 따라서 박막은 더욱 다층화 되고 그 두께는 줄어들고 있다. 따라서 소자의 초고집적화를 위해서는 각 박막의 두께를 더욱 작게 하여야 한다. 또한 반도체 소자 제조 공정에서는 Si 기판과 금속 박막간의 확산이 커다란 문제로 부각되어 왔다. 특히 Cu는 높은 확산성에 의하여 Si 기판과 접합에서 많은 확산에 의한 문제가 발생하게 되며, 또한 선폭이 줄어듦에 따라 고열이 발생하여 실리콘으로 spiking이 발생하게 된다. 이러한 확산을 방지하기 위하여 금속 배선과 Si기판 사이에는 필연적으로 확산방지막을 삽입하게 되었다. 기존의 연구에서는