Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

고집적 소자에의 적용을 위한 Ni-Zr 실리사이드 공정 연구

  • 장현진 (연세대학교 신소재공학과) ;
  • 도기훈 (연세대학교 신소재공학과) ;
  • 고대홍 (연세대학교 신소재공학과)
  • Published : 2007.11.01
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Abstract

Ni 단일박막과 Ni-Zr 합금박막을 단결정 Si 기판위에 증착한 후 RTP를 이용하여 Ni 실리사이드 형성반응을 관찰하였고, $500^{\circ}C$에서 형성된 Ni 실리사이드 박막에 $600^{\circ}C,\;650^{\circ}C$에서 후속 열처리 공정을 수행하여 열 안정성을 평가하였다. RTP를 이용하여 실리사이드를 형성할 경우, Ni/Si 계의 경우, 고온 열처리에서 $NiSi_2$ 결정립의 과대 성장 및 단락이 발생하였지만, Ni-Zr/Si 계의 경우 첨가된 내열금속 원소가 NiSi에서 $NiSi_2$ 로의 상전이와 핵생성을 지연시켜 Ni 실리사이드 박막의 열 안정성 개선 효과를 확인하였다.

Keywords