Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2007.11a
- /
- Pages.13-14
- /
- 2007
Effect of Post annealing of ZnO:Al films produced by RF-Sputtering
RF-Sputtering 법을 이용한 ZnO:Al 박막의 후 열처리에 따른 특성 변화
- Lee, Dong-Jin (Kunsan Nat Univ.) ;
-
Lee, Jae-Hyeong
(Kunsan Nat Univ.)
;
- Song, Jun-Tae (Sungkyunkwan Univ.)
- Published : 2007.11.01
Abstract
투명전극으로 사용되는 ITO는 우수한 전기적, 광학적 특성으로 인하여 널리 사용되고 있다. 하지만, ITO는 저온공정의 어려움과 ITO의 원료물질인 In의 수급이 불안정하여 원자재의 가격이 높고, 수소 플라즈마에 노출시 열화로 인한 광학적 특성의 변화가 문제점으로 지적되고 있다. 본 논문에서는 ITO 투명전극을 대체하기 위한 실험으로 Al 이 도핑된 ZnO(ZnO:Al) 박막을 상온에서 유리기판 위에 RF 마그네트론 스퍼터 법을 이용하여 제조하였다. 증착된 박막은 ITO물질을 대체하기 위한 투명전극으로의 응용을 위해 후 열처리를 실시하였다. 설정된 열처리 온도는 각각 400도와 300도로 설정하였고 열처리 시간에 따른 변화를 관찰하였다. 열처리된 시편은 각각 XRD, SEM, Hall, U/V 측정을 하여 변화를 관찰하였다.