Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)
- 2007.07a
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- Pages.1345-1346
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- 2007
Pentacene Thin-Film Transistor with Different Polymer Gate Insulators
게이트 절연막에 따른 펜타신 박막 트랜지스터의 전기적 특성 분석
- Kim, Jae-Kyoung (Dept. of Nano Science & Engineering, Myongji University) ;
- Her, Hyun-Jung (Dept. of Nano Science & Engineering, Myongji University) ;
- Kim, Jae-Wan (Dept. of Physics, Myongji University) ;
- Choi, Y.J. (Dept. of Nano Science & Engineering, Myongji University) ;
- Kang, C.J. (Dept. of Nano Science & Engineering, Myongji University) ;
- Kim, Yong-Sang (Dept. of Nano Science & Engineering, Myongji University)
- 김재경 (명지대학교 나노공학과) ;
- 허현정 (명지대학교 나노공학과) ;
- 김재완 (명지대학교 물리학과) ;
- 최영진 (명지대학교 나노공학과) ;
- 강치중 (명지대학교 나노공학과) ;
- 김용상 (명지대학교 나노공학과)
- Published : 2007.07.18
Abstract
다양한 게이트 절연막의 펜타신 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 atomic force microscope (AFM), X-선 회절을 사용하여 분석하였다. 펜타신 박막 트랜지스터는 thermal evaporator 방법을 사용하여 여러 폴리며 기판위에 제작하였다. Hexamethylsilasane (HMDS), polyvinyl acetate (PVA), polymethyl methacrylate (PMMA)등의 폴리머 기판을 사용하여 다양한 온도에서 증착시켰다. 이 때 PMMA위에 증착시킨 펜타신의 경우가 가장 큰 그레인 크기를 보였고, 가장 적은 트랩 농도를 보였다. 그리고 상부 전극 구조를 가진 박막 트랜지스터를 HMDS 처리를 한
Keywords