MoO3 thin film fabrication by reactive sputtering for arrester application

반응성 스퍼터링에 의한 Arrester용 MoO3 박막 제작

  • Han, Deok-Woo (Department of Electrical and Electronic Engineering, Kyungsung University) ;
  • Kwak, Dong-Joo (Department of Electrical and Electronic Engineering, Kyungsung University) ;
  • Sung, Youl-Moon (Department of Electrical and Electronic Engineering, Kyungsung University)
  • 한덕우 (경성대학교 전기전자공학과) ;
  • 곽동주 (경성대학교 전기전자공학과) ;
  • 성열문 (경성대학교 전기전자공학과)
  • Published : 2007.07.18

Abstract

본 연구에서는 비선형 저항 특성을 지진 산화 몰리브덴 (MoO3) 소자를 이용한 새로운 피뢰 소자 기술을 제안한다. MoO3 소자는 가열법과 RF 스퍼터링법에 의해 각각 제작하였으며, 이들을 서로 겹쳐서 제작된 양면박막의 갭형 소자에 대해, 절연내력, 응답특성 등의 전기적 특성과 방전 후의 표면 특성 변화 등에 대하여, 실험적으로 고찰하였다. 그 결과, MoO3 소자는 총 10회로 연속적으로 인가한 임펄스 전압실험에서 양호한 동작을 보였으며, 2회 인가 시, 저항 값이 다소 감소하기는 하였으나, 약 $800k{\Omega}$의 저항 값을 일정하게 유지하여 피뢰 소자로서의 성능을 계속 유지할 수 있음을 확인할 수 있었다.

Keywords