New Capacitorless 1T DRAM Cells : Surrounding Gate and Double Gate MOSFET With Vertical Channel (SGVC and DGVC Cell)

  • 이윤성 (서울대학교 나노협동과정) ;
  • 정훈 (서울대학교 전기 공학부 및 반도체 공동연구소) ;
  • 송재영 (서울대학교 전기 공학부 및 반도체 공동연구소) ;
  • 김종필 (서울대학교 전기 공학부 및 반도체 공동연구소) ;
  • 이종덕 (서울대학교 전기 공학부 및 반도체 공동연구소) ;
  • 신형철 (서울대학교 전기 공학부 및 반도체 공동연구소) ;
  • 박병국 (서울대학교 전기 공학부 및 반도체 공동연구소)
  • 발행 : 2006.06.21