Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2006.06a
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- Pages.148-149
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- 2006
Capacitance-voltage characteristics of ZnO/GaN heterostructures
ZnO/GaN 이종접합구조의 capacitance-voltage 특성에 관한 연구
- Oh, Dong-Cheol (Department of Defense Science & Technology, Hoseo University) ;
- Han, Chang-Suk (Department of Defense Science & Technology, Hoseo University) ;
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Koo, Kyung-Wan
(Department of Defense Science & Technology, Hoseo University) ;
- Jung, Soon-Won (Department of Computer Engineering, Youngdong University)
- Published : 2006.06.22
Abstract
Capacitance-voltage(C-V) 측정평가를 통하여 ZnO/GaN 이종접합구조의 전기적인 특성을 조사한다. 실온에서 10kHz의 주파수에서 얻은 ZnO/GaN의 이종접합구조에 대한 C-V 측정결과는 이종접합계면에서 고밀도의 전자가 축적되어 있음을 나타낸다. 이것은 ZnO/GaN 이종접합계면의 다른 재료에서 볼 수 없는 큰 전도대불연속에 기인한 것인데, 각각의 층의 전도도을 제어함으로 이종접합계면에 축적되는 전자밀도를