Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2006.06a
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- Pages.146-147
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- 2006
Growth of carbon nanotubes on AAO nanotemplate
양극산화 알루미늄 템플레이트를 이용한 탄소나노튜브의 성장
- Choi, Sung-Hun (Kunsan National Univ.) ;
- Lee, Jae-Hyeung (Kunsan National Univ.) ;
- Choi, Won-Seok (Sungkyunkwan Univ.) ;
- Hong, Byung-You (Sungkyunkwan Univ.)
- Published : 2006.06.22
Abstract
본 논문에서 탄소나노튜브의 성장 제어를 위해 양극산화 알루미늄 템플레이트를 사용하였다. Si 기판위에 TiN과 Ni 층을 순서대로 증착하였으며 알루미늄을 그 위에 증착하였다. 또한 양극산화 과정은 수산법을 이용하였고 탄소나노튜브의 성장은 마이크로웨이브 플라즈마 화학기상증착법을 이용하여 성장하였다. 양극산화 알루미늄 층 과 탄소나노튜브의 관찰을 위해서 FE-SEM 을 사용하였으며 성장된 탄소나노튜브의 직경은 40 nm 이고 길이는 약