Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Breeakdown Voltage Characteristics of the SOI RESURF LIGBT with Dual-epi Layer as a function of Epi-layer Thickness

이중 에피층을 가지는 SOI RESURF LIGBT 소자의 에피층 두께비에 따른 항복전압 특성분석

  • Kim, Hyoung-Woo (Power Semiconductor Group, Advanced Materials and Applications Division, Korea Electrotechnology Research Institute) ;
  • Kim, Sang-Cheol (Power Semiconductor Group, Advanced Materials and Applications Division, Korea Electrotechnology Research Institute) ;
  • ;
  • Bahng, Wook (Power Semiconductor Group, Advanced Materials and Applications Division, Korea Electrotechnology Research Institute) ;
  • Kim, Nam-Kyun (Power Semiconductor Group, Advanced Materials and Applications Division, Korea Electrotechnology Research Institute) ;
  • Kang, In-Ho (Power Semiconductor Group, Advanced Materials and Applications Division, Korea Electrotechnology Research Institute)
  • 김형우 (한국전기연구원 재료응용연구단 전력반도체연구그룹) ;
  • 김상철 (한국전기연구원 재료응용연구단 전력반도체연구그룹) ;
  • 서길수 (한국전기연구원 재료응용연구단 전력반도체연구그룹) ;
  • 방욱 (한국전기연구원 재료응용연구단 전력반도체연구그룹) ;
  • 김남균 (한국전기연구원 재료응용연구단 전력반도체연구그룹) ;
  • Published : 2006.06.22
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Abstract

이중 에피층을 가지는 SOI (Silicon-On-Insulator) RESURF(REduced SURface Field) LIGBT(Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor) 소자의 에피층 두께에 따른 항복전압 특성을 분석하였다. 이중 에 피층 구조를 가지는 SOI RESURF LIGBT 소자는 전하보상효과를 얻기 위해 기존 LIGBT 소자의 n 에피로 된 영역을 n/p 에피층의 이중 구조로 변경한 소자로 n/p 에피층 영역내의 전하간 상호작용에 의해 에피 영역 전체가 공핍됨으로써 높은 에피 영역농도에서도 높은 항복전압을 얻을 수 있는 소자이다. 본 논문에서는 LIGBT 에피층의 전체 두께와 농도를 고정한 상태에서 n/p 에피층의 두께가 변하는 경우에 항복전압 특성의 변화에 대해 simulation을 통해 분석하였다.

Keywords