한국신재생에너지학회:학술대회논문집
- 한국신재생에너지학회 2006년도 춘계학술대회
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- Pages.214-217
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- 2006
비정질 실리콘 증착에 의한 실리콘 웨이퍼 패시베이션
Si wafer passivation with amorphous Si:H evaluated by QSSPC method
- 김상균 (한국에너지기술연구원(KIER) 태양광발전사업단) ;
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이정철
(한국에너지기술연구원(KIER) 태양광발전사업단) ;
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박성주
(광주과학기술원(GIST) 신소재공학과) ;
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윤경훈
(한국에너지기술연구원(KIER) 태양광발전사업단)
- Kim, Sang-Kyun (KIER) ;
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Lee, Jeong-Chul
(KIER) ;
- Dutta, Viresh (KIER) ;
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Park, S.J.
(GIST) ;
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Yoon, Kyung-Hoon
(KIER)
- 발행 : 2006.06.22
초록
p-type 비정질 실리콘 에미터와 n-type 실리콘 기판의 계면에 intrinsic 비정질 실리콘을 증착함으로써 계면의 재결합을 억제하여 20%가 넘는 효율을 보이는 이종접합 태양전지가 Sanyo에 의해 처음 제시된 후 intrinsic layer에 대한 연구가 많이 진행되어 왔다. 하지만 p-type wafer의 경우는 n-type에 비해 intrinsic buffer의 효과가 미미하거나 오히려 특성을 저하시킨다는 보고가 있으며 그 이유로는 minority carrier에 대한 barrier가 상대적으로 낮다는 것과 partial epitaxy가 발생하기 때문으로 알려져 있다. 본 연구에서는 partial epitaxy를 억제하기 위한 방법으로 증착 온도를 낮추고 QSSPC를 사용하여 minority carrier lifetime을 측정함으로써 각 온도에 따른 passivation 특성을 평가하였다. 또한 SiH4에 H2를 섞어서 증착하였을 경우 각 dilution ratio(H2 flow/SiH4 flow)에서의 passivation 특성 또한 평가하였다. 기판 온도