한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)

한국전기전자재료학회 (The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers)
권호 표지

열처리에 따른 BST 박막의 특성에 관한 연구

Study on Post Annealing Dependence of BST Thin Films

  • 최명률 (청주대학교 대학원 전자공학과) ;
  • 박인철 (청주대학교 대학원 전자공학과) ;
  • 권학용 (청주대학교 대학원 전자공학과) ;
  • 손재구 (청주대학교 대학원 전자공학과) ;
  • 김홍배 (청주대학교 이공대학 전자정보공학부)
  • Chi, Ming Lu (Dept. Electronic Engineering, Chongju University) ;
  • Park, In-Chul (Dept. Electronic Engineering, Chongju University) ;
  • Kwon, Hak-Yong (Dept. Electronic Engineering, Chongju University) ;
  • Son, Jae-Goo (Dept. Electronic Engineering, Chongju University) ;
  • Kim, Hong-Bae (Division of Information Engineering and Telecommunication, Chongju University)
  • 발행 : 2005.07.07
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초록

본 논문에서는 p-type (100)Si. (100)MgO 그리고 MgO/Si 기판 위에 RF Magnetron sputtering 법으로 $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$(BST) 박막을 증착 후 $600^{\circ}C$ 의 질소분위에서 RTA(Rapid Thermal Annealing)를 이용한 1 분간의 고온 급속열처리를 하였다. XRD 측정결과 모든 기판에서 (110) $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$의 주피크가 관찰되어졌고, 열처리 후 피크 세기가 증가함을 확인할 수 있었다. C-V 특성에서 각각의 기판에서 측정된 커패시턴스 값으로 계산된 유전율은 120(bare Si), 305(MgO/Si) 그리고 310(MgO)이었다. 누설 전류 특성에서는 150KV/cm이내의 인가전계에서 0.1$uA/cm^2$이하의 안정된 누설전류값을 보여주었다. 결론적으로 MgO 버퍼층을 이용한 기판이 BST 박막의 증착을 위한 기판으로써 효과적임을 알 수 있었다.

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