한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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- Pages.153-156
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- 2005
DRAM에서 $Al_2O_3$ 를 식각 정지막으로 이용한 레지스터 형성에 관한 연구
Study on the Resistor Formation using an $Al_2O_3$ Etch-Stop Layer in DRAM
- Park, Jong-Pyo (Memory Division, Samsung Electronics) ;
- Kim, Gil-Ho (School of Information & Communication Engineering, Sungkyunkwan University)
- 발행 : 2005.07.07
초록
원자층 증착 (atomic layer deposit : ALD) 방식으로 증착한