Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical Engineers (대한전기학회)
권호 표지

Effect of a-Si:H TFT Instability on TFT-LCD Panel with Integrated Gate Driver Circuits

Gate 구동 회로를 집적한 TFT-LCD에서 a-Si:H TFT Instability의 영향

  • Lee, Hyun-Su (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University, Samsung Electronics) ;
  • Yi, Jun-Sin (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University, Samsung Electronics) ;
  • Lee, Jong-Hwan (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University, Samsung Electronics)
  • 이현수 (성균관대학교 정보통신공학부, 삼성전자) ;
  • 이준신 (성균관대학교 정보통신공학부, 삼성전자) ;
  • 이종환 (성균관대학교 정보통신공학부, 삼성전자)
  • Published : 2005.11.04
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Abstract

a-Si TFT는 TFT-LCD의 화소 스위칭(swiching) 소자로 폭넓게 이용되고 있다. 현재는 a-Si을 이용하여 gate drive IC를 기판에 집적하는 기술이 연구, 적용되고 있는데 이때 가장 큰 제약은 문턱 전압의 이동이다. 펄스(pulse)형태로 인가되는 gate 전압에 의한 문턱 전압 이동은 a-Si:H gate에 인가되는 펄스의 크기, duty cycle, drain pulse의 크기 및 동작 온도에 기인하며 실험결과를 통해 입증된다. 초기의 DC Stress 측정 Data를 이용하여 문턱전압이동을 모델링/시뮬레이션한 결과 a-Si:H gate 회로설계 및 펄스 조건에 따라 stress시간에 따른 gate의 출력 파형 예측이 가능하고 상온에서 Von=21V를 인가한 결과, 약 4년후에서 시프트레지스터 출력 파형이 열화되기 시작한다.

Keywords