A New Protection Circuit for Improving Short-Circuit Withstanding Capability of Lateral Emitter Switched Thyristor (LEST)

수평형 에미터 스위치트 사이리스터의 단락회로 유지 능력 향상을 위한 새로운 보호회로

  • Choi, Young-Hwan (School of Electric Eng. & Computer Science, Seoul Nat'l Univ.) ;
  • Ji, In-Hwan (School of Electric Eng. & Computer Science, Seoul Nat'l Univ.) ;
  • Choi, Yearn-Ik (Collefe of Electronic Eng., Ajou Univ.) ;
  • Han, Min-Koo (School of Electric Eng. & Computer Science, Seoul Nat'l Univ.)
  • 최영환 (서울대학교 전기 컴퓨터 공학부) ;
  • 지인환 (서울대학교 전기 컴퓨터 공학부) ;
  • 최연익 (아주대학교 전자공학부) ;
  • 한민구 (서울대학교 전기 컴퓨터 공학부)
  • Published : 2005.11.04

Abstract

수평형 에미터 스위치트 사이리스터(Lateral Emitter Switched Thyristor, LEST)의 고전압 전류 포화 특성을 위한 새로운 보호회로가 제안하였으며 성공적으로 제작 및 측정하였다. LEST의 부유(浮遊, floating) n+ 전압이 보호 MOSFET의 문턱 전압 보다 커지면 보호 회로는 LEST의 동작 모드를 regenerative 상태에서 non-regerative 상태로 전환시킨다. 일반적인 LEST의 전압 전류 포화 특성이 17 V로 제한되는 것에 비해 제안된 회로와 결합된 LEST는 200V 이상의 고전압 전류 포화 특성을 보였으며, Hard Switching Fault(HSF) 단락 회로 상황에서도 $10{\mu}s$ 이상 견디는 단락 회로 유지 능력을 보였다.

Keywords