한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology)
- 한국반도체및디스플레이장비학회 2005년도 추계 학술대회
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- Pages.83-88
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- 2005
PVP 게이트 절연막을 이용한 유기박막트랜지스터 제작
Fabrication of Organic TFT wi th PVP Gate Insulating layer
- Jang Ji-Geun (Department of Electronics Engineering. Dankook University) ;
- Seo Dong-Gyoon (Department of Electronics Engineering. Dankook University) ;
- Lim Yong-Gyu (Department of Electronics Engineering. Dankook University) ;
- Chang Ho-Jung (Department of Electronics Engineering. Dankook University) ;
- Oh Myung-Hwan (School of Electronics and Computer Engineering, Dankook University)
- 발행 : 2005.09.01
초록
유기 절연층을 갖는 유기 박막트랜지스터 (organic TFT)를 제작하여 소자 성능을 조사하였다. 유기 절연층의 형성에서는 polyvinyl 계열의 PVP(poly-4-vinylphenol)와 PVT(polyvinyltoluene)를 용질로, PGMEA (propylene glycol mononethyl ether acetate)를 용매로 사용하였다. 또한, 열경화성 수지인 poly(melamine-co-formaldehyde)를 경화제로 사용하여 유기 절연층의 cross-link 를 시도하였다. MIM 구조로 유기 절연층의 특정을 측정한 결과, PVT는 PVP에 비해 절연 특성이 떨어지는 경향을 보였다. 게이트 절연막의 제작에서 PVP를 cobpolymer 방식과 cross-linked 방식으로 실험 해 본 결과, cross-link 방식에서 낮은 누설전류 특성을 나타내었다. OTFT 제작에서는 PVP를 용질로, poly(melanine-co-formaldehyde)를 경화제로 사용한 cross-linked PVP 를 게이트 절연막으로 이용하였다. PVP copolymer(
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