Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical Engineers (대한전기학회)
권호 표지

Effects of working pressure on growth of carbon nanotubes by a microwave plasma chemical vapor deposition method

마이크로웨이브 화학기상합성법을 이용한 압력에 따른 탄소나노튜브의 성장 효과

  • 이재형 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 최성헌 (군산대학교 전자정보공학부) ;
  • 최원석 (성균관대학교 정보통신공학부) ;
  • 김정태 (성균관대학교 정보통신공학부) ;
  • 홍병유 (성균관대학교 정보통신공학부)
  • Published : 2005.07.18
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Abstract

마이크로웨이브 화학기상 증착방식으로 탄소 나노튜브를 성장시켰다. 탄소나노튜브를 성장시키기 위한 가스로는 수소$(H_2)$와 메탄$(CH_4)$ 가스를 사용했으며, 실리콘 기판에 마그네트론 스퍼터링 방식으로 10nm 두께의 Ni층과 adhesion 충으로 사용되는 20nm 두께의 Ti층을 증착하였다. 본 논문에서는 탄소나노튜브를 성장시킬 때의 압력에 따른 성장 특성을 알아보았다. 작업 진공도에 따른 탄소나노튜브의 성장 특성은 FESEM image와 TEM image 을 이용하여 관찰하였으면 Raman spectrometer 분석을 통하여 성장된 탄소나노튜브의 구조적 특성을 알아보았다.

Keywords