Thermal Impedance measurement of Semiconductor Device with Thermal Pulse

Thermal pulse를 이용한 반도체 소자의 thermal impedance 측정법

  • Seo, Kil-Soo (Korea Electrotechnology Research Institute, Power Semiconductor Research Group) ;
  • Kim, Ki-Hyun (Korea Electrotechnology Research Institute, Power Semiconductor Research Group) ;
  • Bahng, Wook (Korea Electrotechnology Research Institute, Power Semiconductor Research Group) ;
  • Kim, Sang-Cheul (Korea Electrotechnology Research Institute, Power Semiconductor Research Group) ;
  • Kim, Nam-Kyun (Korea Electrotechnology Research Institute, Power Semiconductor Research Group) ;
  • Kim, Eun-Dong (Korea Electrotechnology Research Institute, Power Semiconductor Research Group)
  • Published : 2005.07.18

Abstract

열저항 측정법에는 정상상태보다는 과도응답 특성을 이용하는 것이 우수한 것으로 20년부터 알려져 왔다. 온도를 시간의 함수로 나타내는 열적 계단응답함수를 이용하면 칩에서 주위 분위기, 냉각장치 또는 마운트를 포함한 열 임피던스를 측정할 수 있다. 소자 접합부의 열적 동특성을 측정함으로써 칩 주변의 기하학적 물질에 대한 특성을 파악할 수 있으며 나아가 측정으로부터 소자의 열적 구조를 유추할 수 있다. 본 논문에서는 열적 계단응답 특성을 이용한 열 임피던스 측정이론 및 원리에 대해서 개관하였다.

Keywords