Proceedings of the KAIS Fall Conference (한국산학기술학회:학술대회논문집)

The Korea Academia-Industrial cooperation Society (한국산학기술학회)
권호 표지

Microstructure and TCR Properties of TaNx Thin Films Coated under various $Ar/N_2$ Fraction

질소분압에 따른 TaNx 코팅층의 미세조직과 TCR 특성 변화

  • Kim Seon-Hwa (Dept of Materials Engineering, Soonchunhyang University) ;
  • Choi Yong-Lak (Dept of Materials Engineering, Soonchunhyang University) ;
  • Han Seong-Ryong (Dept of Materials Engineering, Soonchunhyang University) ;
  • Ho Song-Gyu (Dept of Materials Engineering, Soonchunhyang University) ;
  • Jung Jun-Hyuck (Dept of Materials Engineering, Soonchunhyang University)
  • 김선화 (순천향대학교 신소재공학과) ;
  • 최용락 (순천향대학교 신소재공학과) ;
  • 한승용 (순천향대학교 신소재공학과) ;
  • 송규호 (순천향대학교 신소재공학과) ;
  • 정준혁 (순천향대학교 신소재공학과)
  • Published : 2005.05.01
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Abstract

전기, 전자, 우주, 자동차, 무기 등의 여러 분야에서 응용되고 있는 고정밀, 고저항체 박막인 TaNx 다층박막을 반응성 마그네트론 스퍼터링법으로 제조하여 질소분압에 따른 TCR 특성 변화를 조사하고, XRD와 SEM 관찰을 통하여 미세조직이 전기적 성질에 미치는 영향을 알아보았다. 제조된 TaNx 박막의 전기저항은 질소분율이 증가함에 따라 저온보다 고온에서 전기저항이 감소함을 보여 뚜렷한 (-)TCR 특성을 나타내었다. XRD 분석 결과, $Ar/N_2$ 비가 0.05에서 TaN 상이 형성되고 0.1에서 우수한 결정성을 나타내었으며, $N_2$의 양이 증가할수록 비정질이 형성되었다. 박막의 표면 형상은 미세하고 불연속 아일랜드 형태로 변화하였다.

Keywords