한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17
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- Pages.247-251
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- 2004
배치식 플라즈마 세정 설비를 이용한 자연산화막 제거 공정
A Study on Batch-Type Remote Plasma Dry Cleaning Process for Native Oxide Removal
- 박재영 (삼성전자 DS 총괄 DT기술그룹) ;
- 이욱열 (삼성전자 DS 총괄 DT기술그룹) ;
- 형용우 (삼성전자 DS 총괄 DT기술그룹) ;
- 남석우 (삼성전자 DS 총괄 DT기술그룹) ;
- 이현덕 (삼성전자 DS 총괄 DT기술그룹) ;
- 송창룡 (삼성전자 DS 총괄 DT기술그룹) ;
- 강호규 (삼성전자 DS 총괄 DT기술그룹) ;
- 노용한 (성균관대학교)
- Park, Jae-Young (Samsung Electoronics) ;
- Yi, Wook-Yeol (Samsung Electoronics) ;
- Hyung, Yong-Woo (Samsung Electoronics) ;
- Nam, Seok-Woo (Samsung Electoronics) ;
- Lee, Hyeon-Deok (Samsung Electoronics) ;
- Song, Chang-Lyong (Samsung Electoronics) ;
- Kang, Ho-Kyu (Samsung Electoronics) ;
- Roh, Yong-Han (Sungkyunkwan Uni.)
- 발행 : 2004.11.11
초록
반도체 소자의 제조에 있어 실리콘 표면에 성장한 자연산화막을 제거하기 위해 일반적으로 습식 세정 기술이 이용되어 왔다. 하지만 소자의 최소 선폭(design rule)이 nano급으로 고집적화 됨에 따라 contact hole 바닥의 자연산화막을 깨끗이 제거하는데 있어서 그 한계를 나타나고 있다. 이에 대한 효과적인 대안 공정으로 가스 건식 세정 기술이 연구되고 있다. 본 논문에서는 한 번에 50매 이상의 웨이퍼를 처리함으로써 생산성 측면에서 월등한 배치식 설비에서 원거리 플라즈마(remote plasma) 장치에서 2.450Hz의 마이크로웨이브(