한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)

한국전기전자재료학회 (The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers)
권호 표지

홑겹 탄소 나노튜브 네트워크의 게이트 의존성과 온도 의존성

Field effect and temperature dependence on the conductance of the carbon nanotube network

  • 오동진 (고려대학교 전기공학과) ;
  • 원부운 (고려대학교 전기공학과) ;
  • 김강현 (고려대학교 전기공학과) ;
  • 강해용 (고려대학교 전기공학과) ;
  • 김혜영 (고려대학교 전기공학과) ;
  • 김규태 (고려대학교 전기공학과)
  • Oh, Dong-Jin (Department of Electrical Engineering, Korea Univ.) ;
  • Won, Boo-Ne (Department of Electrical Engineering, Korea Univ.) ;
  • Kim, Kang-Hyun (Department of Electrical Engineering, Korea Univ.) ;
  • Kang, Hae-Yong (Department of Electrical Engineering, Korea Univ.) ;
  • Kim, Hye-Young (Department of Electrical Engineering, Korea Univ.) ;
  • Kim, Gyu-Tae (Department of Electrical Engineering, Korea Univ.)
  • 발행 : 2004.11.11
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초록

Back gate가 있는 $SiO_2$ 기판에 SWCNT(Single Walled Carbon Nanotube) 분산액을 도포하여 SWCNT 네트워크를 형성하였다. 금선을 shadow mask로 사용하여 $10{\mu}m$ 간격의 2단자 금 전극을 열 증착을 통해 형성하였다. 현미경 포토리소그래피를 통하여 시료의 가장자리를 Photoresist로 남겨두어 시료 가장자리의 나노튜브를 통한 단락을 방지하였다. 전류-전압 특성, 게이트 특성과 온도 의존성은 DAQ(Data Aquisition) 보드와 Keithley 2400을 사용하여 측정하였고, Labview 기반 프로그램을 통해 제어하였다. 음의 게이트 전압에서의 저항 감소를 관측함으로써 네트워크 상태에서의 게이트 의존성이 P 형 반도체 성질을 보여줌을 알 수 있었으며, 온도가 올라감에 따라 저항이 지수 함수적으로 증가하는 것으로부터 네트워크의 온도 의존성이 금속성 온도 의존성을 가지는 것을 확인하였다.

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