The Measurement of Junction Depth by Scanning Electron Microscopy

전자현미경에 의한 확산 깊이 측정

The purpose of this paper is to determinate and to confirm p-n junction depth with nondestructive method by using electron beam. By measuring the critical short circuit current on the p-n junction which induced by electron beam and calculating generation range, the diffusion depth can be obtained. It ran be seen that values destructively measured by constant angle lapping and nondestructively by this study almost concur. As this result, it is purposed that diffusion depth of p-n junction can be easily measured by non-destruction. And this nondestructive method ran be recommended highly to the industrial analysis.

본 논문은 주사형 전자 현미경을 사용하여 간단한 형태의 반도체 소자뿐만 아니라 집적회로의 내부 P-N 접합 층의 깊이를 소자를 파괴하지 않고 패키지 상태 그대로 측정 할 수 있는 방법이다. 전자 현미경에서 주사되는 전자빔의 에너지에다 반도체 내에 여기 되는 전류를 측정하여 이 임계치에서 전자빔의 침투 범위를 산출하여 접합의 깊이를 측정한다. 실제 시판되고 있는 소자를 사용하여 SEM 의 전자 주사빔 에너지를 변화시키면서 외부의 전류 변화를 측정하였다. 소자 내부의 전자와 정공 생성율은 접합에서 더 많이 발생되므로 이를 고려하여 화산 깊이를 측정하였다. 이렇게 측정한 결과와 이후에 소자를 lapping 하여 파괴 측정한 측정치와 비교 한 결과 일치함을 알 수 있었다.