Design and Implementation of the sub-harmonically pumped FET Mixer for C -Band Application

C-Band 용 서브-하모닉 FET믹서의 설계 및 제작

  • Myeong Cheong-Sik (Dept. of Electronic Engineering, Chungnam National University) ;
  • Jeon Byeong-hwi (Dept. of Electronic Engineering, Chungnam National University) ;
  • Chong Young-jun (Advanced Radio Tech. Dept, ETRI) ;
  • Yim In-sung (Dept of Electronic Engineering, Korea Astronomy Observatory) ;
  • Oh Seung-hyeub (Dept. of Electronic Engineering, Chungnam National University)
  • Published : 2004.06.01

Abstract

본 논문에서는 직접 변환 방식의 가장 큰 문제점 중 하나인 DC 오프셋 문제를 개선하기 위한 방안으로, 서브 하모닉 저항성 믹서를 GaAs FET 소자를 이용하여 제작하였다. 측정된 결과 LO 주파수의 2 차 하모닉 성분을 이용하는 특성상 변환이득은 일반 믹서보다 큰 -15.0dB의 특성을 얻었다. 또한 별도의 대역통과 여파기를 사용하지 않고도 LO-IF 및 LO-RF 분리도 특성은 최소 48.2dB와 77.8dB의 양호한 특성을 나타내었다.

Keywords