한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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- Pages.374-377
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- 2003
PT IGBT의 Turn-on시 과잉캐리어 분포 특성
Excess Carrier Distribution of PT IGBT at Turn on
- 이정석 (건국대학교 전기공학과 재료 연구실) ;
- 박지홍 (건국대학교 전기공학과 재료 연구실) ;
- 안형근 (건국대학교 전기공학과 재료 연구실) ;
- 한득영 (건국대학교 전기공학과 재료 연구실)
- Lee, Jung-Suk (Konkuk Univ.) ;
- Park, Ji-Hong (Konkuk Univ.) ;
- Ahn, Hyung-Keun (Konkuk Univ.) ;
- Han, Deuk-Young (Konkuk Univ.)
- 발행 : 2003.07.10
초록
In this paper, turn on characteristics of (Punch-Through Insulated Gate Bipolar Transistor) PT-IGBT has been studied. Based on the transient power loss, turn on charges first base to collector capacitance. Furthermore we present the charge variation in the base including n+ buffer layer to express the transient turn-on characteristics of the device.