p-형 ZnO 박막의 성장 및 전기적 특성에 대한 연구

The formation and the electrical properties of p-type ZnO films

  • Jeong, M.C. (Dept. of Mat. Sci. & Eng., Yonsei univ.) ;
  • Moon, T.H. (Dept. of Mat. Sci. & Eng., Yonsei univ.) ;
  • Ko, Y.D. (Dept. of Electrical & Electronic Eng., Yonsei univ.) ;
  • Yun, Il-Gu (Dept. of Electrical & Electronic Eng., Yonsei univ.) ;
  • Myoung, J.M. (Dept. of Mat. Sci. & Eng., Yonsei univ.)
  • 발행 : 2003.10.31

초록

Rf magnetron sputtering을 이용하여 InP, GaAs 기판위에 ZnO 박막을 증착시켰다. 진공 ampul 및 $Zn_3P_2$ 분위기 하에서 열처리 과정을 통해 P와 As을 ZnO 박막내에 도핑하였으며, 박막의 전기적 특성 측정 결과 정공의 농도가 $10^{16}cm^{-3}-10^{19}cm^{-3}$ 으로서 p-형 전기전도도를 나타내었다. XRD 측정을 통하여 ZnO 박막의 내부에 이상이 존재하지 않는다는 것을 확인하였다. 또한 FESEM을 이용하여 p-형 ZnO 박막의 표면을 관찰하였으며 그 위에 n-형 ZnO 박막을 sputtering을 이용하여 증착시켜 I-V 특성을 관찰하였다. 본 실험을 통해 P 및 As의 확산을 통한 p-형 ZnO 박막의 성장이 가능하였으며, I-V 특성으로부터 ZnO의 발광소자 및 자외선 검출기로의 응용이 가능함을 확인하였다.

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