Fabrication and Modulation Characteristic of TE-selective $GaAs/Al_{0.35}Ga_{0.65}As$ waveguide phase modulator

TE 모드의 위상변화만을 일으키는 $GaAs/Al_{0.35}Ga_{0.65}As$ 도파로 위상변조기의 제작 및 변조특성

  • 김선필 (한양대학교 전자통신전파공학과) ;
  • 손정민 (한양대학교 전자통신전파공학과) ;
  • 이상선 (한양대학교 전자통신전파공학과) ;
  • 이석 (한국과학기술연구원) ;
  • 우덕하 (한국과학기술연구원) ;
  • 김선호 (한국과학기술연구원)
  • Published : 2003.02.01

Abstract

반도체 소자에 있어서 굴절율의 변화는 중요한 역할을 한다. 굴절율을 변화시키는 다양한 요소들은, 전계에 의한 1차 전기광학(linear electro-optic: LEO) 효과와 2차 전기광학 (quadratic electro-optic: QEO) 효과, 자유 운반자에 의한 밴드천이(band-gap shift: BS) 효과와 플라즈마(plasma: PL) 효과 등으로 잘 알려져 있다. 본 논문에서는, 오로지 TE 모드에 대해서만 선택적으로 위상 변화를 주는 P-I-i-I-N GaAs/Al/sub0.35/Ga/sub 0.65/As 도파로 위상변조기를 보고한다. (중략)

Keywords