MBE Growth and Fabrication of Oxide-Confined VCSEL Array

산화막 구경 표면발광 레이저 어레이의 MBE 성장과 제작

  • 김진숙 (광주과학기술원 정보통신공학과) ;
  • 장기수 (광주과학기술원 정보통신공학) ;
  • 김종민 (광주과학기술원 정보통신공학) ;
  • 배성주 (광주과학기술원 정보통신공학) ;
  • 이용탁 (광주과학기술원 정보통신공학과)
  • Published : 2003.02.01

Abstract

VCSEL은 우수한 소자 특성과 표면 발광 구조가 갖는 여러 가지 장점들로 인하여 병렬 광연결과 근거리 광섬유 통신에서 이상적인 광원으로 인정받고 있다. 특히 산화막 구경을 갖는 VCSEL은 이득영역 근처에서 횡 방향으로 광학적, 전기적 제한을 가함으로써 낮은 문턱전류와 높은 전력변환 효율을 갖기 때문에 현재까지 많은 연구가 진행되어 왔다. 본 논문에서는 in-situ 광 반사법을 이용한 VCSEL의 MBE 성장과 1■10 산화막 구경 VCSEL 어레이의 제작공정, 그리고 발진특성에 대하여 논하고자 한다. (중략)

Keywords