Proceedings of the IEEK Conference (대한전자공학회:학술대회논문집)
- 2003.07b
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- Pages.715-718
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- 2003
The electrical characteristics of Polysilicon Source/Drain SOI MOSFETs with high-k gate dielectrics.
Elevated Polysilicon source/drain 구조와 고유전율 절연막을 적용한 초미세 SOI MOSFET의 제작 및 특성 연구
Abstract
본 논문에서는 MOSFET source/drain 고체 확산 원으로써 도핑된 폴리 실리콘을 사용하였으며 확산 후 남은 폴리 실리콘은 elevated source/drain 역할을 하여 저항을 줄여 준다. 또한 제안 된 구조는 게이트 절연막 공정 이전에 확산 공정이 이루어 지기 때문에 후속 열처리에 취약한 고유전율 게이트 절연막 공정과 금속 게이트 공정에 적합한 공정으로 적합함을 보였다.
Keywords