Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference (한국재료학회:학술대회논문집)
- 2003.11a
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- Pages.171-171
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- 2003
Characteristics of $_{(1-x)}Ta_2O_{5-x}TiO_2$ thin film at various annealing temperature by CVD
CVD법으로 제작한 $_{(1-x)}Ta_2O_{5-x}TiO_2$ 박막의 열처리 온도에 따른 특성변화
Abstract
공정기술의 향상으로 DRAM(dynamic random acess memory)의 고집적화가 이루어지고 있으며, 각 개별소자 및 셀 영역의 점유면적의 감소가 요구되어지고 있다. 따라서 기존에 사용하던 NO (Si
Keywords