Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference (한국재료학회:학술대회논문집)
- 2003.03a
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- Pages.104-104
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- 2003
Homogeneous Incorporation of Dimethylsiloxane into Polymethylsilsesquioxane
Dimethylsiloxane의 균일 도입에 의한 PMSSQ의 인성 강화
Abstract
다양한 구조를 갖는 polysilsesquioxane은 열적, 전기적, 기계적 성질이 우수하여 차세대 고집적 반도체용 저 유전율 층간 절연막 재료로 부각되고 있으며, 유/무기 하이브리드 재료로 많은 연구 대상이 되고 있다. 그러나 PMSSQ(polymethylsilsesquioxane)는 취성으로 인한 반도체 제조의 CMP 공정에서 미세 크렉 발생의 위험이 있으므로 막의 인성 강화가 요구되고 있다. 이를 위하여 PMSSQ의 취성을 보완하기 위한 목적으로 선형 분자인 dimethylsiloxane을 10-20mo1% 도입하고자 하였다. 이때 도입된 dimethylsiloxane기가 PMSSQ에 균일하게 분포하지 않으면 실리콘 기판에 코팅 후 약 43
Keywords