Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference (한국재료학회:학술대회논문집)

Materials Research Society of Korea (한국재료학회)
권호 표지

Characteristic of high-K dielectric material(($ZrO_2$)grown by MOMBE

MOMBE 로 성장시킨 고유전물질 ($ZrO_2$)의 특성 연구

  • 최우종 (연세대학교 금속시스템공학과 정보전자재료연구실) ;
  • 홍장혁 (연세대학교 금속시스템공학과 정보전자재료연구실) ;
  • 김두수 (연세대학교 금속시스템공학과 정보전자재료연구실) ;
  • 명재민 (연세대학교 금속시스템공학과 정보전자재료연구실)
  • Published : 2003.05.01
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Abstract

최근 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 능동소자에 사용되는 MOS-FET (Metal Oxide Semiconductror Field Effect Transitror)의 전체적인 크기 감소추세에 따라 금속 전극과 반도체 사이의 절연층 두께 감소가 요구되고 있다. 현재 보편적으로 사용되고 있는 SiO$_2$층은 두께 감소에 따른 터널링 전류의 증가로 더 이상의 두께 감소를 기대하기 어려운 상태이다. 이러한 배경에서 최근 터널링 전류를 충분히 감소시키면서 요구되는 절연특성을 얻을 수 있는 새로운 고유전 물질 (high-k dielectric material)에 대한 연구가 이루어지고 있다. 현재까지 연구되어온 고유전 물질 중, 고유전 상수, 큰 밴드갭, Si과의 열적 안정성을 갖는 물질로 ZrO$_2$가 주목을 받고 있다. 본 연구에서는 Metal Organic Molecular Beam Epitaxy (MOMBE) 방법을 이용한 ZrO$_2$ 층의 성장조건 및 특성을 평가하고자 한다.

Keywords