한국재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference)
- 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
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- Pages.63-63
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- 2003
$BCl_3$ 에 기초한 고밀도 유도결합 플라즈마에 의한 AlGaAs/GaAs 건식식각 비교
Comparison of Dry Etching of AlGaAs/GaAs in High Density Inductively Coupled $BCl_3$ based Plasmas
초록
플라즈마 공정은 DRAM, 이종접합 양극성 트랜지스터(HBTs), 레이저, 평면도파로(planar lightwave circuit)와 같은 전자소자 및 광조자 제작에 있어서 핵심 공정중의 하나이다. 최근 미세 구조의 크기가 극도로 감소하게 됨에 따라 실제 소작 제작에 있어서 미세한 모양을 식각하는 공정이 매우 중요하게 되었다. 그 중에서 고밀도 유도결합 플라즈마(high density inductively coupled plasma)를 이용한 기술은 빠르고 정확한 식각률, 우수한 식각 균일도와 높은 재현성 때문에 습식식각 기술보다 선호되고 있다. 본 연구는 평판형(planar) 고밀도 유도결합 플라즈마 식각장치를 이용하여 BCl
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