Proceedings of the IEEK Conference (대한전자공학회:학술대회논문집)

The Institute of Electronics and Information Engineers (대한전자공학회)
권호 표지

An analysis of latch-u immunity on triple-well and twin-well architecgure using a high energy ion implanttion

고에너지 이온주입에 의한 triple-well과 twin-well 구조에서 래치업 예방을 위한 해석

  • 홍성표 (건국대학교 전자공학과) ;
  • 전현성 (건국대학교 전자공학과) ;
  • 김중연 (건국대학교 전자공학과) ;
  • 노병규 (건국대학교 전자공학과) ;
  • 조재영 (건국대학교 전자공학과) ;
  • 오환술 (건국대학교 전자공학과)
  • Published : 1998.06.01
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Abstract

본 논문은 triple-well과 twin-well에서의 고에너지 이온주입 에너지와 도즈량 변화에 따른 래치업 특성을 비교하였다. 공정시뮬레이터인 ATHENA로 소자를 제작하고 도핑프로파일 형태와 구조를 조사한 후, 래치업 특성은 소자 시뮬레이터인 ATLAS를 이용하였다. triple-well 공정이 마스크 스텝수를 줄이고, 이온주입 후 열처리시간을 단축하며 별도의 열처리 공정없이 도핑르로파일을 넓은 형태로 분포시켜 래치업 면역특성이 매우 좋은 결과를 얻었다.

Keywords