C$_{4}F_{8}/O_{2}$/(N-based additives)를 이용한 ICP-type의 remote Plasma silicon nitride PECVD chamber 세정 시 발생되는 global warming gas 저감에 관한 연구

• Kim, Ji-Hwang ;
• Bae, Jeong-Un ;
• O, Chang-Hyeon ;
• Kim, Gi-Jun ;
• Lee, Nae-Eung ;
• Yeom, Geun-Yeong

• 김지황 (성균관대학교 재료공학과) ;
• 배정운 (성균관대학교 재료공학과) ;
• 오창현 (성균관대학교 재료공학과) ;
• 김기준 (성균관대학교 재료공학과) ;
• 이내응 (성균관대학교 재료공학과) ;
• 염근영 (성균관대학교 재료공학과)

• Published : 2002.02.19

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