게이트 전극 형성 적용을 위한 $TiN/HfO_{2}/Si$ 구조의 계면 형성과 전기적 특성에 관한 연구

• An, Yeong-Seop ;
• Ban, Sang-Hyeon ;
• Lee, Nae-Eung ;
• Gang, Hyeok-Su ;
• No, Yong-Han

• 안영섭 (성균관대학교 재료공학과) ;
• 반상현 (성균관대학교 재료공학과) ;
• 이내응 (성균관대학교 재료공학과) ;
• 강혁수 (성균관대학교 전기 전자 및 컴퓨터 공학부) ;
• 노용한 (성균관대학교 전기 전자 및 컴퓨터 공학부)

• Published : 2002.02.19

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