Epitaxial $CoSi_2$ using sacrificial Si on Si0.83Ge0.17/Si(001) Schottky contact의 계면적 및 전기적특성에 관한 연구

  • 반상현 (성균관대학교 재료공학과) ;
  • 신동욱 (성균관대학교 재료공학과) ;
  • 안영섭 (성균관대학교 재료공학과) ;
  • 이내응 (성균관대학교 재료공학과)
  • Published : 2002.02.19